Rychlé nabíjení Quick Charge 2.0 umožnilo telefon s průměrnou kapacitou baterie nabít z 0 % do 60 % za pouhých 30 minut. Už to je výborný výsledek. Qualcomm však neusíná na vavřínech a jde s inovací ještě dál. Novou technologii Quick Charge 3.0 opět dodá do nové generace procesorů Snapdragon.

Za prvé si pojďme říct to, co většina z vás opravdu chce slyšet – jak rychlé to je? Quick Charge 1.0 je o 40 % rychlejší než konvenční nabíjení. Kromě toho, Quick Charge 2.0 zvládal být o 75 % rychlejší než starší technologie. Quick Charge 3.0 bude dvakrát rychlejší než Quick Charge 1.0 a oproti Quick Charge 2.0 se zlepší o 38 %. Třetí generace Quick Charge technologie od Qualcommu tak může dostat konvenční smartphone z 0 % do 80 % za pouhých 35 minut!

Kromě dosažení takto vysokých rychlostí nabíjení je to poprvé, co Qualcomm využívá INOV technologii (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) pro rychlé nabíjení. Tento nový algoritmus může pomoci zařízením určit, kolik napětí by si měla vyžádat. Kromě toho podporuje širší řadu možností napětí. Quick Charge 2.0 je povoleno pouze pro 5V, 9V, 10 V a 20 V. S Quick Charge 3.0 telefon může vybrat napětí v krocích po 200 mV, kdekoli mezi 3,6 a 20V. A ano, je to připravené pro nejnovější USB typu C.

Qualcomm oznámil, že nová technologie Quick Charge 3.0 bude k dispozici od jejich nejnovějších procesorů, které zahrnují Snapdragon 820, 620, 618, 617 a 430. To do značné míry znamená, že se dočkáme těchto zařízení až příští rok. Ale je to skvělá zpráva, tak jako tak. Teď, když víme, že můžeme nabíjet v kratším čase, tak bychom ještě měli přijít na to, jak nabíjet méně často – tedy konečně prodloužit výdrž na jedno nabití.

A jak se těšíte na rychlé nabíjení vy? Napište nám do diskuze.